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中国科学院发布面向功率器件设计的智能化电热建模与参数提取新方案
4 天前
近日，被誉为电子器件领域“奥林匹克盛会”的IEEE国际电子器件会议（IEDM 2025）在美国旧金山召开，会议主题为“场效应晶体管（FET）100年：塑造器件创新的未来”。IEDM自1955年起每年举办，是全球半导体器件技术、设计、制造、物理与材料领域的重要交流平台。本届会议上，多项前沿技术成果亮相：小米集团手机部与苏州能讯高能半导体有限公司、香港科技大学合作，率先报道了应用于移动终端的高效率低压硅基氮化镓射频功率放大器，实现了氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）技术在移动终端通信领域的历史性突破；上海微系统所提出了一种基于物理信息图神经网络的统一电热建模框架，实现了对宽禁带半导体功率器件在多尺度、多结构、多偏压条件下的高效、精准建模，为推动功率器件“设计-仿真-建模”全流程智能化提供了新思路；长鑫存储在标准16Gb颗粒以外，重点推出24Gb大容量颗粒，并基于其DDR5产品推出七大模组，实现了对服务器、工作站到个人电脑的全场景完整覆盖。这些成果不仅展现了学术前沿，更成为洞察未来存储技术演进与产业格局变化的重要窗口。
