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南京大学：锑晶体接触技术突破二维半导体器件尺寸微缩瓶颈
2025-12-18
2025年12月17日，南京大学集成电路学院王欣然、李卫胜团队与合作者成功开发出锑晶体外延接触技术。该技术解决了亚20纳米接触长度下二维半导体的欧姆接触难题，团队基于此技术成功研制出1纳米节点的高性能二硫化钼（MoS₂）晶体管器件，展示了二维半导体在埃米时代集成电路中的潜在应用。相关成果以“Scaled crystalline antimony Ohmic contacts for two-dimensional transistors”为题，在线发表于《Nature Electronics》期刊。
