存储领域的三大巨头SK海力士、三星和美光正竞相加速开发16层堆叠的高带宽内存(16-Hi HBM)芯片,并计划在2026年第四季度向NVIDIA供货,以满足其顶级AI加速器的需求。16-Hi HBM技术尚未实现商业化,其开发面临诸多技术难题,包括DRAM堆叠复杂性的增加、晶圆厚度的压缩、粘合工艺的竞争以及散热问题。根据JEDEC标准,HBM4的总厚度限制在775µm,而16层堆叠要求晶圆厚度从50µm压缩至30µm左右,这增加了加工难度。此外,粘合材料的厚度必须缩减到10µm以下,如何在极致轻薄化后依然能有效散热,是三家企业必须跨越的技术障碍。
