近日,中国科学技术大学科研团队在(SnSe)1.16(NbSe2)晶体中实现铁电性、金属性与超导性共存,并研制出首例可在室温下工作的金属性铁电忆阻器。该材料通过层间弱耦合结构,在室温下保持高导电性(载流子密度超10²¹cm⁻³)和稳定铁电极化(居里温度383K),同时具备3.25K超导特性。基于此材料开发的忆阻器具有低功耗、高稳定性的优势,为下一代低能耗电子器件与神经形态计算硬件提供了新路径。