过去三十年,全球存储产业经历了重大变革。20世纪80至90年代,日本企业几乎垄断了DRAM市场。然而,进入21世纪后,韩国厂商通过政府支持、大规模资本投入和技术创新,逐渐取代日本,成为DRAM市场的主导者,并建立起长期的技术、规模和资本优势。随着AI时代的到来,高性能计算对内存的需求激增,HBM(高带宽内存)成为关键器件。HBM通过垂直堆叠DRAM芯片,显著提高了带宽和容量,满足了AI芯片对高算力和大带宽的需求。韩国厂商凭借在DRAM堆叠、封装和良率控制方面的深厚积累,迅速占据HBM市场的主导地位,高端GPU几乎离不开其供货,从而在AI浪潮中坐享红利。相比之下,日本既缺乏DRAM主流产能,也未在HBM技术上取得突破,更无力进行大规模资本投放,导致在全球HBM产业链中几乎缺席,仅在材料、设备零部件和部分封装工艺等环节保留一定存在感。
