三星电子称出货全球首批业界最高性能HBM4产品,采用1c DRAM和4nm工艺
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2月12日,三星电子宣布开始出货全球首批量产的HBM4产品。该产品采用1c DRAM工艺与4nm逻辑基底,实现稳定良率与业界领先性能,无需额外设计调整。其数据处理速度达11.7Gbps,最高可提升至13Gbps,单堆栈总带宽最高达3.3TB/s,较前代提升2.7倍,同时功耗效率提升40%,散热能力提升30%。三星预计2026年HBM销售额将较2025年增长三倍以上,并正扩充HBM4产能。