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消息称三星电子1c DRAM良率超80%，HBM4良率接近60%
13 小时前
据业内人士透露，三星电子在高温环境下（热测试）已实现1c DRAM 80%的良率，这是目前的最高水平。此前，2025年第四季度其良率约为60%至70%，如今已显著提升，预计5月份左右将达到90%。此外，三星基于1c DRAM的HBM4良率也有所提高，已接近60%，而去年第四季度约为50%。
