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科研动态|中山大学韩羽副教授、余思远教授团队在硅基单片集成光子晶体激光器领域取得突破性进展
4 小时前
III-V族化合物半导体光子晶体激光器因体积小、功耗低，在片上光互连系统中展现出巨大应用前景。传统垂直外延制备的光子晶体激光器虽性能优异，但光子晶体薄膜制备需复杂工艺，如衬底掏空或薄膜转移，导致器件结构稳定性欠佳。此外，水平量子阱光增益层布满腔体，被刻蚀气孔穿透后，载流子非辐射复合增加，泵浦效率难以提升。中山大学韩羽副教授、余思远教授团队创新性地旋转整个生长过程90度，采用“水平侧向选区外延”技术，直接生长出含掩埋式竖直量子阱的磷化铟（InP）薄膜，并精准定位量子阱。
