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IBM、泛林集团利用High NA EUV及干法光刻胶，研发1nm以下制造工艺
4 小时前
2026年3月10日，IBM与半导体设备制造商泛林集团宣布达成一项为期五年的合作协议，双方将利用高数值孔径极紫外（High NA EUV）光刻技术和泛林集团的Aether干法光刻胶技术，共同开发将逻辑芯片制程推进至1纳米以下所需的材料和制造工艺。合作将在IBM位于纽约州奥尔巴尼市的纳米技术中心进行，重点聚焦新型半导体材料、先进蚀刻与沉积工艺，以及High NA EUV光刻技术的联合开发，旨在突破当前半导体制程的技术极限，抢占下一代半导体产业发展的战略制高点。
