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三星电子：2026年出货由HBM4主导 HBM5将采用2nm制程

2 天前

据韩媒报道，三星电子正加速推进下一代高带宽内存布局。HBM4已于今年正式量产，同时三星已将目光投向更远一代产品，计划将HBM5基片工艺从4nm提升至2nm，并采用1d DRAM作为HBM5E的核心堆叠存储。

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