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半导体所垂直自旋器件的全电写入和硅基集成研究取得新进展
7 小时前
基于自旋轨道矩效应的第三代自旋芯片，有望突破传统半导体芯片在速度和功耗上的物理极限，因此成为英特尔、三星、台积电等国际半导体企业重点布局的技术路线。该芯片采用垂直磁化比特，有望实现更高的热稳定性和数据保持时间，但目前面临如何以高密度集成方式实现高能效全电写入的技术难题。
