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北京大学团队在APR报道掺杂半导体导热机理方面取得进展
3 小时前
掺杂通过引入特定元素改变半导体电学特性，是半导体制造的核心技术。随着芯片向3D堆叠与高功率高频方向发展，散热问题成为关键瓶颈。高功率密度导致局部热点集中，硅片减薄进一步阻碍热传导，传统散热方案难以满足需求。行业正探索新型热管理材料、界面工程优化与先进热表征技术，以突破散热限制，支撑下一代芯片技术发展。
