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三星西安厂236层堆叠3D NAND量产 最新286层年内落地
10 小时前
据韩媒ETNEWS 3月29日报道，三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂已正式量产236层堆叠的第八代V-NAND（V8）3D NAND闪存。此次制程升级自2024年启动，基于原有128层（V6）NAND生产线改造，旨在提升产品性能、生产效率及产能竞争力，以满足AI时代对高性能存储设备的需求。下一步，三星西安晶圆厂将聚焦286层堆叠的V9 NAND研发与量产，相关生产线设于X2工厂，计划2026年内完成过渡并实现量产。
