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消息称美光启动垂直堆叠GDDR研发，样品或于2027年亮相
2 小时前
据报道，美光启动新研发计划，开发垂直堆叠结构的GDDR内存产品。该产品借鉴HBM的垂直堆叠技术，可大幅提升传统显存性能与容量，有望在标准GDDR与高端HBM间开辟新路径，满足市场对高性能、低成本内存方案的需求。美光计划今年下半年完成设备安装并进入工艺测试阶段，初步方案是4层GDDR芯片垂直堆叠，若进展顺利，首批测试样品最快2027年面世。
