随着AI、大数据、云计算等新型信息技术的快速发展,传统冯·诺依曼计算架构的“功耗墙”与“存储墙”问题愈发严重。神经形态计算,这一模拟人脑神经工作模式的新型计算范式,被视为突破这些瓶颈的关键。其中,铁电隧道结(FTJs)因其尺寸小、非破坏性读取、多级电导调节及超低功耗等特性,在下一代神经形态存储器件中表现突出。特别是具有萤石结构的铁电HfO2,相较于传统钙钛矿型铁电材料,不仅与Si基CMOS工艺兼容,还能在器件尺寸缩小时保持性能。