中国芯片制造商长江存储科技公司(YMTC)计划在武汉建设三期工程,预计2026年建成投产。三期工程将延续NAND闪存生产,同时将半数产能转向DRAM制造,并联合国内企业研发高带宽内存(HBM)产品。项目投产后,长江存储总产能将大幅提升,有望超越SK海力士和美光,成为全球NAND Flash厂商第三位,仅次于三星电子与日本铠侠。