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4F架构全球首产 三星突破DRAM物理极限
2 小时前
据报道，三星电子在DRAM制造技术上取得重大突破，首次成功产出10纳米以下级别的工作晶圆，采用4F²架构与垂直沟道晶体管（VCT）技术，实际电路线宽约9.5至9.7纳米。该成果于今年2月ISSCC 2026会议上首次展示为16Gb DRAM原型，标志着DRAM存储单元尺寸缩小至物理极限的新路径。三星计划2026年完成10a DRAM开发，2027年进行质量测试，2028年量产。此技术通过缩小单元面积30%至50%，提升容量、速度并降低功耗，为未来DRAM发展奠定基础。
