英特尔与软银旗下子公司SAIMEMORY合作的Z-Angle Memory(ZAM)次世代存储项目,已获日本新能源产业技术综合开发机构(NEDO)选定并给予资金支持,将通过政府补助加速研发。该项目预计执行周期约3.5年,SAIMEMORY计划在2027财年前投入约80亿日元开发原型产品,目标2029年左右量产。ZAM内存功耗比传统HBM低约40%,旨在为AI数据中心等提供大容量、高带宽、低功耗的存储方案。