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电子科技大学在集成电路顶刊JSSC发表“西岭Xiling”60mK低温硅基量子操控芯片
5 小时前
近日，电子科学与工程学院毫米波技术与系统应用实验室集成物理研究组IPG在集成电路领域顶级期刊《IEEE Journal of Solid-State Circuits》（JSSC）上发表了题为“Xiling: Cryo-CMOS Manipulator Using Dual 18-bit R-2R DACs for Single-Electron Transistor at 60 mK”的研究论文。该研究由电子科技大学2024级硕士研究生李英杰为第一作者，王成教授为通讯作者完成。论文提出了一种基于双18位R-2R数模转换器（DAC）的低温硅基量子操控芯片“西岭Xiling”，在60mK极低温环境下实现了与单电子晶体管（SET）的同温区集成，并成功测试得到清晰的库仑菱形特征图。实验数据显示，该芯片在4K低温下具备18-bit电压分辨率（INL/DNL<0.8LSB）、4.6μV超高电压精度及4.1nV/Hz⁰·⁵超低噪声谱密度，直流功耗仅60μW。这一成果验证了芯片对量子器件的精确操控能力，为构建百万级量子比特阵列的低温集成操控提供了关键技术支撑。此前，该研究已被2025 IEEE International Solid-State Circuits Conference（ISSCC）接收并现场展示，并获《Nature Electronics》Research Highlight专题报道。
