5月13日消息,清华大学材料学院刘锴教授团队提出全固态铁电梯度掺杂(FeGD)策略,将铁电层P(VDF-TrFE)与二维双极性半导体MoTe₂沟道结合,通过有效栅压调节铁电极化梯度分布,在单栅极器件结构中实现了非易失存储、人工突触、存内逻辑等12种可重构功能。该器件在非易失存储模式下保持时间达10⁷秒,开关比超10⁶;逻辑运算中基础逻辑门开关比高于10⁴,复杂逻辑开关比高于10³;重配置速度低于1毫秒。这一成果为后摩尔时代高集成、多功能、低复杂度可重构电子器件提供了新路径。