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台积电田博仁：新建改造18座工厂应对AI需求
4 小时前
5月14日，台积电营运、先进技术工程副总经理田博仁在年度技术论坛上表示，受全球AI与高性能运算（HPC）应用爆发式增长驱动，台积电正以过往两倍速度推进全球晶圆厂扩建，同步强化先进制程与封装产能。公司计划新建及改造18座半导体工厂，其中包括5座先进封测厂。2026年，台积电将在台湾新建4座晶圆厂与2座先进封装厂，并持续推进全球12吋晶圆厂布局。海外布局方面，美国亚利桑那州第一座晶圆厂已量产4纳米制程，预计2026年产能年增1.8倍；第二座晶圆厂预计2027年下半年量产3纳米制程；第三座晶圆厂已封顶，未来将引入2纳米级节点工艺。日本熊本第一座晶圆厂已进入22及28纳米量产阶段，第二座晶圆厂预计2025年开始建设，生产3纳米技术。德国厂将聚焦汽车与工业应用，支援28纳米、22纳米、16纳米与12纳米制程技术。先进制程方面，台积电最先进的2纳米制程已进入量产，后续以2纳米为基础、搭配A16制程，也将按计划如期量产。为支援客户对2纳米制程的强劲需求，台积电将于2026年同步启动多座晶圆厂，2纳米量产第一年产出将较3纳米同期高出45%，2026年至2028年2纳米产能预计将以约70%的年复合成长率扩大。此外，台积电还将持续扩大3纳米与5纳米产能，2022年至2027年，3纳米与5纳米产能将以约25%的年复合成长率扩充。在先进封装方面，CoWoS与SoIC等3DIC技术持续推进，SoIC-X已进入量产阶段，相关产能预期将有超过80%的成长。为满足AI应用对先进封装的强劲需求，台积电2022年至2027年将以超过80%的年复合成长率，积极扩充CoWoS与相关3DIC产品产能。
