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三星电子首次展示 HBM5，押注下一代 AI 存储竞争
2 小时前
三星电子在Computex 2026展会上首次展示了第八代高带宽存储器HBM5的原型。其核心技术亮点是名为Heat Path Block（HPB）的热管理创新技术，该技术已在HBM4E平台上完成验证，并计划随HBM5正式商用。HBM5还将采用第六代10纳米级DRAM制程和2纳米逻辑工艺节点。此外，三星已于5月下旬开始向全球主要客户发货12层HBM4E样品，其引脚传输速度稳定在14Gbps，可扩展至16Gbps，每堆栈带宽达3.6TB/s，容量为48GB，后续还将推出32GB和64GB版本。在存储价格普遍上涨的背景下，通用DRAM价格的大幅提升增强了三星和SK海力士在HBM定价上的主导权，两家公司的盈利预期因此大幅上调。摩根士丹利预测，三星今年全年营业利润同比增幅可能达到464%，而SK海力士的增幅约为280%。
