SK海力士已向主要客户供应12层HBM4E样品,这是一款面向人工智能的下一代超高性能DRAM。与上一代HBM4相比,其引脚速率最高达16Gbps,能效提升超20%,通过新一代接口和设计优化降低了数据传输延迟。该产品采用先进MR-MUF工艺,实现了12层堆叠48GB容量,热阻降低约17%。SK海力士将与客户紧密合作,确保产品按时量产,以巩固其技术领导地位。