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中国科学院微电子所在IGZO 2T0C 3D DRAM领域取得进展
5 小时前
随着人工智能与高性能计算应用的迅猛发展，市场对高容量、高带宽存储的需求急剧攀升。然而，高速SRAM受限于6T结构，难以实现高容量；片外DRAM则因访问延迟较高，无法满足高带宽需求。在此背景下，基于IGZO的2T0C架构因其可后道集成于逻辑芯片之上的特性，被视为兼顾高容量与高带宽的理想解决方案。但目前2T0C DRAM的研究仅限于平面和垂直4F²架构，缺乏单步多层的三维集成方案，限制了密度的进一步提升。
