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华中科技大学缪向水/李祎团队于VLSI2026发表浮点存算一体芯片研究成果
3 小时前
2026年6月14日至18日，IEEE/JSAP超大规模集成电路技术与电路国际研讨会（VLSI Symposium）在美国夏威夷檀香山举行。作为国际半导体与集成电路领域的顶级学术会议之一，VLSI与ISSCC、IEDM并称为该领域最具影响力的国际会议，是国际学术界和产业界展示前沿芯片技术与半导体创新成果的重要平台。本届研讨会以“通过超大规模集成电路创新推进人工智能前沿发展”为主题，汇集了来自世界各地的顶尖研究机构和企业，共同探讨VLSI领域的最新技术进展和未来趋势。会议期间，英特尔宣布其18A系列首个性能增强版本18A-P制程已进入风险试产阶段，展示了全环绕栅极晶体管、背面供电技术等研究成果。三星则展示了其首次实现的42纳米闸极间距的3D堆叠晶体管技术。此外，imec、ASML和台积电联合展示了基于二维材料的n型和p型场效应晶体管，实现了50纳米接触多晶硅间距的突破。这些成果标志着超大规模集成电路技术正不断突破物理极限，为人工智能、高性能计算等领域的发展提供强大支撑。^[1][2][4][6][8][9][11][12][15]^
