厦大电子学院梅洋助理教授与张保平教授课题组发表GaN基平凹腔VCSEL重要成果
5 小时前

近日,厦门大学梅洋助理教授与张保平教授课题组在氮化镓垂直腔面发射激光器(GaN基VCSEL)领域取得重要进展,相关研究成果以“Comparison Between Planar and Plano-Concave Cavities in GaN-Based VCSELs”为题,发表于国际权威期刊Laser & Photonics Reviews(影响因子9.7)。该研究通过对比平面腔与平凹腔结构,系统分析了不同谐振腔设计对GaN基VCSEL性能的影响,为优化器件结构、提升激射效率提供了关键理论支撑。此前,该团队已在紫外波段GaN基VCSEL领域实现国际首次电注入连续激射,激射波长拓展至380.1 nm,并成功开发组分渐变结构将激射阈值降低71.1%,相关成果发表于Applied Physics Letters等期刊。此次研究进一步深化了GaN基VCSEL的谐振腔设计理论,有望推动其在生物医疗、紫外固化、高密度光存储等领域的实际应用。