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清华大学材料学院刘锴、集成电路学院唐建石在低功耗高温突触晶体管领域研究中取得新进展
1 天前
清华新闻网7月13日消息，清华大学材料学院刘锴教授与集成电路学院唐建石副教授的研究团队，成功研发出全二维高温离子栅控突触晶体管（A2D-HTIGST）。该器件创新性地结合了离子栅控层CuInP2S6、电子阻挡层h-BN及WS2沟道，利用高温环境下电场驱动的Cu+离子层间迁移，实现了高开关比、大滞回窗口及卓越的突触可塑性。在200℃条件下，其单脉冲能耗低至3飞焦，并展示了在高温自供电手写数字识别及基于储备池计算的太阳黑子数量预测等领域的巨大潜力，为高温场景下的高能效神经形态计算开辟了新路径。
