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室温单电子存储突破，复旦芯片技术登顶Science
1 天前
7月17日消息，北京时间当日凌晨，复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室的周鹏-刘春森研究团队在《科学》杂志上发表重要成果。该团队发明的“量子闪存”技术，成功构建了共面的漏极-沟道-源极“归壹”结构，首次在室温（27℃）下清晰观测到单电子的非易失性存储行为。这一发现打破了“单电子存储”无法实现的传统观念，开创了单电子量子存储的新理论体系，为AI时代的算力革命奠定了关键理论基础。目前，团队已打通从底层材料、器件创新到高端芯片集成与应用的全链条，并计划加快产业化进程，在1到3年内实现产品落地，包括成立公司对接人工智能头部客户，引入战略合作伙伴，借助社会和政府支持，将原始创新转化为新质生产力。
