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三星电子确认HBM5将采用2纳米GAA工艺，速度较HBM4E提升50%以上
1 小时前
三星电子于7月27日宣布，其下一代HBM5内存将采用GAA结构的2纳米工艺，运行速度预计比HBM4E提升50%以上，并实现更高集成度的硅通孔（TSV）技术。三星将基于在4纳米HBM4基础芯片上的经验，提前在HBM5中引入2纳米工艺，并拓展与移动、AI、HPC、汽车电子、机器人等领域的客户合作，推动半导体生态系统发展。
