非易失存储器、存内计算、电光调制器及微机电系统等领域的迅猛发展,使铁电薄膜材料备受瞩目。纤锌矿型铝钪氮(AlScN)凭借高饱和极化强度、高居里温度及与CMOS工艺的兼容性,成为下一代铁电器件的热门候选。然而,AlScN薄膜的高质量生长受限于与衬底的晶格匹配和化学键合,传统方法面临衬底受限、难以兼顾结晶质量与生长温度、难以剥离自支撑薄膜等难题,限制了其在异质集成和柔性电子领域的应用。