搜索
三星探索内存新技术：垂直堆叠于AI加速器之上 密度超传统HBM5十倍
1 天前
8月5日消息，美东时间8月4日，三星电子在加州圣克拉拉未来存储与内存大会（FMS）上，发布了其V10 Bonding V-NAND（BV-NAND）原型产品。该芯片采用超过400层结构及全新晶圆键合架构，提升了存储密度和性能。三星称，BV-NAND技术相比上一代V9 NAND，存储密度提高了约58%，同时增强了读取、写入及输入/输出性能，以满足人工智能系统对更高容量和能效存储解决方案的需求。此外，三星还展示了业界首款zHBM和zNAND-O架构概念模型，该技术通过垂直堆叠存储单元，在更小空间内存储更多数据。与传统的HBM与AI处理器并列封装方式不同，三星的zHBM将存储垂直堆叠于AI加速器之上，缩短了数据传输距离，提高了带宽和能源效率。三星表示，其晶圆键合技术有望实现超过传统HBM5内存10倍的存储密度，能源效率提高3倍，热阻降低一半以上。
