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三星展示下一代3D内存与突破性V10 BV-NAND技术
1 天前
在FMS 2026大会上，三星电子展示了其最新的AI内存创新成果，公布了面向AI基础设施的下一代存储技术路线图，首次展示了zHBM、zNAND-O概念产品，并推出了采用晶圆键合技术的400层以上V10 BV-NAND。zHBM通过垂直堆叠HBM于AI加速器上方，缩短数据传输距离，提升AI训练和推理性能，预计性能可达HBM5的8倍，内存密度提升10倍，能效也得到提升。V10 BV-NAND架构则通过晶圆键合技术堆叠存储单元，层数超过400层，内存密度提升约58%，同时改善读写和输入输出性能。
