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铠侠推全球容量密度最高的QLC闪存 332层比三星400层都要强
1 小时前
2026年8月，铠侠与闪迪宣布推出第十代BiCS10 3D QLC NAND闪存芯片，采用332层堆叠结构，单位面积存储密度高达37Gb/mm²，成为全球存储密度最高的3D NAND产品。该芯片搭载4800MT/s高速接口，支持独立命令地址（SCA）功能，主要面向高容量数据中心级SSD市场。相比此前两家公司推出的BiCS10 3D TLC NAND产品（存储密度超29Gb/mm²），新款QLC NAND进一步提升了数据中心存储容量密度。铠侠与闪迪通过CMOS直接键合到阵列（CBA）与节距选通（OPS）技术，在332层堆叠中实现了存储密度与性能的平衡，其读取延迟降低约4微秒，读取能耗降低约25%。目前，该产品已启动样品交付，量产计划定于2027年，首款企业级PCIe Gen6固态硬盘“KIOXIA CM10”已向部分客户提供样品，容量覆盖2TB至64TB。
