因存储厂商将晶圆产能转向HBM、DDR5及高层数NAND,摩根士丹利预测,成熟型DRAM内存和NAND闪存芯片供应紧张状况或将加剧。预计到2026年第三季度,DDR4价格将上涨50%,第四季度再涨超10%;同期,SLC NAND在两个季度内的涨幅均将超过50%。本轮供应收缩主要由供给侧变化驱动,HBM晶圆消耗量约为传统DRAM的3倍。瑞银预计,到2027年,英伟达HBM消耗量将达约251亿Gb,全行业需求约615亿Gb。此外,DDR5价格也在上涨,美国银行数据显示,8月DDR5-5600/6400 24GB内存现货价格环比上涨8%,同比涨幅约483%。
