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英特尔 18A-P 工艺突破：低电压下性能飙升，多技术融合引领芯片革新
4 小时前
英特尔在全球计算架构与芯片设计顶级盛会上，公布了其最新制程技术Intel 18A-P的详细信息。该技术采用RibbonFET全环绕栅极晶体管和背面供电等创新设计，针对不同电压区间进行了系统性优化，在性能和能效上实现了显著突破。低电压下，能效显著提升；高电压下，供电损耗减少，频率潜力得到释放。此外，还开发了W1、W1.5、W3P三种器件选项，以适应不同应用场景。同时，英特尔升级了散热解决方案，新增粗金属层优化互连，并研发了钌互连和三维逻辑堆叠技术。该制程将率先应用于2027年推出的Diamond Rapids至强处理器（最多256核心，优化内存访问）和Nova Lake酷睿处理器。GAA晶体管与背面供电技术将成为未来多代产品的基础架构。
