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长鑫存储导入高K金属栅极技术：瞄准1a DRAM节点 2031年月产能或达80万片
4 小时前
中国DRAM制造商长鑫存储（CXMT）在DRAM晶体管中引入了高K金属栅极（HKMG）技术。该技术采用高介电常数材料替代传统SiO₂栅介质，并结合金属栅极材料，有效缓解了制程微缩带来的漏电问题，同时提高了晶体管的工作效率和可靠性。这一材料与器件层面的升级，为长鑫存储向更先进的1a级DRAM节点推进奠定了基础。
