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三星与ASML合作开发下一代EUV光刻掩模版
4 小时前
9月9日消息，据首尔经济日报报道，三星电子将携手全球最大的光刻设备制造商ASML，共同研发高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻技术。三星正推动行业标准变革，计划将自20世纪80年代沿用的6英寸光掩模版升级为12英寸版本，并力争率先利用高NA EUV设备实现DRAM量产。三星拟于2028年起将该技术应用于DRAM生产，并逐步拓展至1.4纳米先进逻辑工艺，以促进晶圆代工业务发展。扩大掩模版尺寸可弥补EUV技术局限，高NA EUV的数值孔径较传统EUV高出66%，能形成更精细的电路图案。将6英寸掩模版替换为12英寸版本，可提升晶圆厂生产效率并降低芯片制造成本。
