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SK 海力士拟 2028 年应用 High NA EUV 技术 半导体行业 DRAM 量产迎新进展
3 小时前
全球半导体先进制程竞争加剧，多家行业巨头正积极布局High NA EUV光刻技术。其中，SK海力士与三星电子均计划于2028年将该技术引入DRAM大规模生产，成为韩国存储芯片厂商中率先明确时间表的两家。与此同时，ASML正牵头组建技术联盟，携手台积电、三星、英特尔共同推动12英寸光罩生态系统标准化，SK海力士正在评估是否加入。美光则选择差异化路径，其第7代10nm级DRAM工艺将优先采用传统EUV设备。High NA EUV技术能显著提升光刻分辨率并减少曝光次数，尽管初期设备投资增加30%，但单位芯片生产成本可降低15%，有望重塑全球存储芯片市场格局。
