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消息人士：长鑫准备进入闪存市场，与三星、海力士、美光科技正面竞争
3 小时前
9月18日，据路透社报道，中国芯片制造商长鑫存储正计划进军闪存市场。消息人士称，长鑫存储打算在北京新工厂建立NAND闪存研发生产线，并已设立研究院开展NAND开发项目。长鑫存储已与部分客户讨论了NAND闪存计划，其中一家新成立的初创公司拟采购其NAND芯片，用于人工智能系统和超级计算机的存储产品，但该人士未透露公司名称。目前，研发生产线的运营时间及长鑫存储是否将转向大规模商业化制造尚不明确。
