搜索
Nature Electronics发表我院新型计算芯片最新进展并进行专题报道
8 小时前
近日，北京航空航天大学集成电路科学与工程学院的赵巍胜教授团队在自旋芯片领域取得关键突破。该团队基于40纳米CMOS工艺，成功研制出96 kb电压调控磁各向异性磁随机存储器（VC-MRAM），并构建了亚纳秒概率翻转的超快低功耗伊辛机。该伊辛机已针对工业级EDA组合优化任务完成芯片实测验证，结果显示，器件单次自旋更新能耗低于40飞焦（fJ），系统能效高达1.92×10⁵ solutions/s/W，较现有最先进伊辛机提升60至18000倍。
