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SK海力士HBM混合键合技术开发遇阻 三星或在下一代高带宽内存竞争中暂时领先
7 小时前
据韩国业内消息，全球高带宽内存（HBM）市场领军企业SK海力士在混合键合技术研发上遇到挑战，进度或已落后于竞争对手三星电子。目前，SK海力士尚未启动基于混合键合技术的HBM样品生产，而三星已向客户提供了采用该技术制造的HBM样品。混合键合技术通过嵌入金属凸块将两枚硅芯片永久键合为一体，去掉传统凸点、直接键合铜互连，从而缩短传输距离、降低延迟与信号失真，是下一代HBM堆叠的关键工艺。若消息属实，这将对HBM收入市占率长期位居全球第一的SK海力士构成挫折。目前，在HBM3E与HBM4主导的出货中，SK海力士以50%的份额领先，三星占33%，但三星正加速追赶。混合键合技术的进度落后，可能使SK海力士在追求更高容量与性能的客户面前失去部分优势。
