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格芯公布FDX Fusion路线图：目标7纳米级数字性能 德累斯顿计划2028年量产
17 小时前
GlobalFoundries（格芯，GF）发布了FDX Fusion全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）工艺路线，旨在为机器人、汽车、工业自动化等物理AI设备提供低功耗、高集成度的芯片。第一代FDX Fusion预计实现7纳米级数字性能，计划于2028年在德国德累斯顿工厂开始量产。该工艺通过在硅层下设置绝缘层并支持背偏置调节，可根据工作负载在功耗与性能间灵活调整，有助于降低漏电、优化能效，并适合整合射频、模拟和数字电路。新平台还计划集成嵌入式非易失性存储器、存内计算和高密度逻辑，进一步提升芯片性能。
