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南航集成电路学院在2026年JSSC发表高性能电压基准芯片成果
23 小时前
南京航空航天大学集成电路学院在高性能电压基准芯片领域取得关键突破。针对高压电源管理、电池管理系统及功率器件驱动等应用场景，研究团队成功开发出一款全集成单级高压电压基准芯片。该芯片具备低温度系数（28.71 ppm/°C）、极低线性灵敏度（0.000006%/V）及微秒级快速启动（35μs）等特性。相关研究成果已发表于2026年《IEEE Journal of Solid-State Circuits》（JSSC），论文标题为“A 28.71-ppm/◦C Voltage Reference With 0.000006%/V Line Sensitivity and 35 µs Startup Time”。
