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高通CMO：第六代骁龙8至尊版不存在系统性散热问题
4 小时前
近日有市场传闻称，高通最新旗舰移动平台骁龙8 Elite Extreme Gen 6虽为业内首款采用台积电2nm工艺的手机芯片，但新工艺未能完全解决高负载长时间运行下的发热问题。三星在内部测试中发现该处理器存在明显性能衰减，已反馈高通要求改进。高通曾引入Offset PoP封装技术以改善散热，但测试显示，长时间高负载任务下仍会出现温度超标后的强制降频，影响持续性能输出。不过，几周前的早期测试曾认为该芯片已显著改善持续性能，达到105摄氏度温度阈值的时间超过15分钟，而上一代产品仅需约6分30秒。尽管如此，新封装方案仍未彻底解决持续高负载下的散热问题。高通首席营销官回应称，骁龙8 Elite Gen 6不存在系统性散热问题，手机厂商在产品发布前对平台进行调校属于正常开发流程。
