据消息,英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技采用台积电3nm制程的基底裸片为其生产NVHBM(英伟达定制的高带宽内存技术),核心裸片则采用第六代DRAM技术。三星电子已决定接受这一技术要求。10月19日,三星电子回应称,不对涉及客户的事项发表评论。