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美光预告 G11 NAND：超 400 层堆叠，双倍密度，2027H2 产能爬坡
1 小时前
美光在2026年度技术网络研讨会上，预告了预计2027年下半年产能爬坡的G11 NAND闪存。该产品跳过G10世代，堆叠层数超400层，采用晶圆对晶圆键合技术，面积存储密度约为现有276层G9 NAND的2倍，I/O速率最高可达其1.5倍，数据传输能耗降低超25%。美光还计划在NAND中导入高迁移率材料，以实现超密集单元架构并强化节能属性。此外，美光还介绍了两种AI级数据中心NAND设计，并展示了全方位AI优化存储解决方案。
