随着HBM技术向更高层堆叠发展,散热和良率成为产业链新挑战。最新消息,三星电子和SK海力士计划自2027年第二季度起,大幅增加对英伟达下一代AI加速器Rubin Ultra的8层HBM4内存供应,替代此前看好的12层堆叠方案。此前,英伟达曾考虑在Rubin Ultra和标准Rubin中应用8层HBM4(E),以优化整体供应。调整原因在于,12层堆叠结构可能加剧散热问题、降低良率并影响供应稳定性。尽管12层HBM4仍是今年重点,但预计明年年中后,8层HBM4出货量将显著增加。