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长鑫科技：基于4F²架构的第六代技术平台DRAM完成工程样片验证
2 小时前
10月30日，国产存储芯片龙头长鑫科技在第三季度业绩交流会上透露，基于4F²垂直沟道DRAM架构的关键突破，其第六代工艺技术平台已完成工程样片验证。工程样片验证完成意味着该平台核心性能指标已在真实晶圆上达到设计预期，在客户端完成验证后可进入规模量产阶段。
