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台积电拟进军先进内存芯片制造 应英伟达要求布局3D DRAM
4 小时前
11月6日，据The Information报道，两名消息人士称，台积电正考虑拓展先进内存芯片制造业务，此举将使其在全球AI硬件供应链中占据更大份额。台积电近期已开始制定生产3D DRAM的计划，以响应其最大客户英伟达的请求。DRAM即动态随机存取内存，用于在处理器使用数据时暂存数据。与传统DRAM将内存单元置于单层不同，3D DRAM通过垂直堆叠单元以容纳更多内存。目前内存芯片制造由三星电子、SK海力士和美光科技主导，三家公司也在研发3D DRAM技术，展开下一代内存制造竞争。AI硬件热潮引发的内存芯片严重短缺已导致价格飙升，促使英伟达和苹果等芯片设计公司寻找额外供应来源。今年早些时候，苹果因内存成本上升而提高了设备价格。
