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韩媒：SK 海力士 HBM4 良率升至 70% 以上 量产竞争力有望增强
14 小时前
高带宽内存（HBM）采用DRAM芯片垂直堆叠结构，可显著提升数据处理速度与带宽，但工序复杂、良率损耗风险高，良率偏低将推高生产成本。作为第六代产品，HBM4制造难度较以往明显提升，量产初期能否稳住良率是决定其大规模生产竞争力的关键变量之一。据行业渠道消息，SK海力士HBM4产能良率已提升至70%以上，同等生产投入下合格产出较良率60%时增加约16.7%。此前SK海力士在三季度财报电话会上表示，HBM4前后段工艺良率均居业界前列，表现超原定计划并上调了内部目标。当前SK海力士、三星和美光均在争夺HBM4市场，这一良率进展有望改变行业竞争态势，三家较量将进一步升温。
